Direct-FET N-CH 30V 30A
N-Channel 30V 30A Ta, 150A Tc 2.8W Ta, 89W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MX
得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
通道数 1
漏源极电阻 3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 5640pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 8.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET-MX
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-MX
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6678 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6678TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF6678和IRF6678TRPBF的区别 |
IRF6678TR1 英飞凌 | 功能相似 | IRF6678和IRF6678TR1的区别 |