IPI60R380C6XKSA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
通孔 N 通道 600 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
IPI60R380C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-CH
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 700pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPI60R380C6XKSA1