IPB65R380C6ATMA1概述
D2PAK N-CH 700V 10.6A
表面贴装型 N 通道 650 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） D²PAK（TO-263AB）
得捷:
MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin2+Tab TO-263
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
IPB65R380C6ATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
极性 N-CH
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
在线购买IPB65R380C6ATMA1