IPB120N06S4H1ATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB120N06S4H1ATMA1概述

D2PAK N-CH 60V 120A

表面贴装型 N 通道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB120N06S4H1ATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 21900pF @25VVds

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB120N06S4H1ATMA1

型号： IPB120N06S4H1ATMA1

描述：D2PAK N-CH 60V 120A

替代型号IPB120N06S4H1ATMA1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPB120N06S4H1ATMA1 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPB120N06S4H1ATMA2 英飞凌	类似代替	IPB120N06S4H1ATMA1和IPB120N06S4H1ATMA2的区别

型号/品牌

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IPB120N06S4H1ATMA1

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当前型号

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