晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.297 ohm, 10 V, 4 V
通孔 N 通道 12A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
欧时:
MOSFET CoolMOS P6 N-Ch 600V 12A TO-220FP
得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.297 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
N-沟道 600 V 7 A 330 mΩ 22 nC CoolMOS P6 功率 晶体管 - TO-220FP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
额定功率 32 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.297 Ω
极性 N-CH
耗散功率 32 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1010pF @100VVds
额定功率Max 32 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 32W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 PWM stages TTF, LLC for, , telecom rectifier,, PFC stages for
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free