IPA60R400CEXKSA1

IPA60R400CEXKSA1图片1
IPA60R400CEXKSA1图片2
IPA60R400CEXKSA1图片3
IPA60R400CEXKSA1图片4
IPA60R400CEXKSA1图片5
IPA60R400CEXKSA1图片6
IPA60R400CEXKSA1图片7
IPA60R400CEXKSA1图片8
IPA60R400CEXKSA1图片9
IPA60R400CEXKSA1图片10
IPA60R400CEXKSA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 10.3A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP


立创商城:
N沟道 600V 10.3A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP


欧时:
Infineon MOSFET IPA60R400CE


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 10.3A 3-Pin TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


IPA60R400CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 31 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 3 V

输入电容 700 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 700pF @100VVds

额定功率Max 31 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPA60R400CEXKSA1
型号: IPA60R400CEXKSA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台