900V,3.1A,N沟道功率MOSFET
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
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Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.10 A
上升时间 20 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 710pF @100VVds
额定功率Max 31 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 31W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free