IPD082N10N3GBTMA1

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IPD082N10N3GBTMA1概述

DPAK N-CH 100V 80A

Summary of Features:

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Excellent switching performance
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World’s lowest R DSon
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Very low Q g and Q gd
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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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RoHS compliant-halogen free
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MSL1 rated 2

Benefits:

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Environmentally friendly
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Increased efficiency
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Highest power density
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Less paralleling required
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Smallest board-space consumption
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Easy-to-design products
IPD082N10N3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 125 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 3980pF @50VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD082N10N3GBTMA1
型号: IPD082N10N3GBTMA1
描述:DPAK N-CH 100V 80A
替代型号IPD082N10N3GBTMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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