IPW50R199CPFKSA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
The IPW50R199CP is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET with ultra-low gate charge and high peak current capability.
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- Lowest figure of merit Ron x Qg
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- Extreme dV/dt rate
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- Ultra low RDS ON, very fast switching
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- Very low internal Rg
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- High peak current capability
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- Significant reduction of conduction and switching losses
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- High power density and efficiency for superior power conversion systems
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- Best-in-class performance ratio
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- Qualified according to JEDEC for target applications
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- Green device
IPW50R199CPFKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 139 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 139 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1800pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 139W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Communications & Networking, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPW50R199CPFKSA1