Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N20NFDAKSA1, 84 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™ FD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N20NFDAKSA1, 84 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 84 A, 200 V, 0.0106 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3 / N-Channel 200 V 84A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0106 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 84A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 5000pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Communications & Networking, for 48-110V systems, DC-AC inverter, 音频, 电机驱动与控制, 通信与网络, Audio, Class D audio amplifier, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准
含铅标准 无铅