IPB80N06S2L09ATMA2

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IPB80N06S2L09ATMA2概述

N-CH 55V 80A

Summary of Features:

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• N-channel - Enhancement mode
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• Automotive AEC Q101 qualified
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• MSL1 up to 260°C peak reflow
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• 175°C operating temperature
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• Green package lead free
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• Ultra low Rdson
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• 100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 55V on  in planar technology
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB80N06S2L09ATMA2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 190W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 2620pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Valves control, Lighting, Single-ended motors, Solenoids control

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPB80N06S2L09ATMA2
型号: IPB80N06S2L09ATMA2
描述:N-CH 55V 80A
替代型号IPB80N06S2L09ATMA2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IPB80N06S2L09ATMA2和IPB80N06S2L09ATMA1的区别

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