IPD053N08N3GATMA1 编带
表面贴装型 N 通道 80 V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
欧时:
MOSFET N-Ch 80V 90A OptiMOS3 DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
漏源极电阻 0.0044 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 2.8 V
输入电容 3570 pF
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 4750pF @40VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Motor Drive & Control, Communications & Networking, Power Management, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD053N08N3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD068P03L3GBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD053N08N3GATMA1和IPD068P03L3GBTMA1的区别 |
IPD053N08N3GBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD053N08N3GATMA1和IPD053N08N3GBTMA1的区别 |