INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V
N 通道功率 MOSFET，30V，
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 1.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 382 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.3A
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 382pF @15VVds
下降时间 4.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Protection, 电源管理, Load Switch Low Side, Load Switch, Load Switch High Side, DC Switches, Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLML0030TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLML2030TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRLML0030TRPBF和IRLML2030TRPBF的区别 |
FDN357N 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRLML0030TRPBF和FDN357N的区别 |
NDS351AN 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRLML0030TRPBF和NDS351AN的区别 |