IPP023N10N5AKSA1

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IPP023N10N5AKSA1概述

INFINEON  IPP023N10N5AKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 3 V 新

OptiMOS™5 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3


欧时:
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5AKSA1, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 100V 120A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-220-3


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3


IPP023N10N5AKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 375 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.002 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 15600pF @50VVds

额定功率Max 375 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP023N10N5AKSA1
型号: IPP023N10N5AKSA1
描述:INFINEON  IPP023N10N5AKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 3 V 新

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