IRLML0060TRPBF

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IRLML0060TRPBF概述

INFINEON  IRLML0060TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23


欧时:
### N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


立创商城:
N沟道 60V 2.7A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 2.7 A, 0.078 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
IRLML0060TRPBF N-channel MOSFET Transistor; 2.7 A; 60 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V


儒卓力:
**MOSFET 60V 2.7A **


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3


IRLML0060TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.25 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 290 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.7A

上升时间 6.3 ns

输入电容Ciss 290pF @25VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Audio, Load Switch, Audio, Industrial, Load Switch High Side, DC Switches, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRLML0060TRPBF
型号: IRLML0060TRPBF
描述:INFINEON  IRLML0060TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号IRLML0060TRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRLML0060TRPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

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ZXMN6A07FTA

美台

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