INFINEON IRLML0060TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
立创商城:
N沟道 60V 2.7A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 2.7 A, 0.078 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
IRLML0060TRPBF N-channel MOSFET Transistor; 2.7 A; 60 V; 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V
儒卓力:
**MOSFET 60V 2.7A **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
额定功率 1.25 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 290 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.7A
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 290pF @25VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Audio, Load Switch, Audio, Industrial, Load Switch High Side, DC Switches, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRLML0060TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
ZXMN6A07FTA 美台 | 功能相似 | IRLML0060TRPBF和ZXMN6A07FTA的区别 |
FDN5630 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRLML0060TRPBF和FDN5630的区别 |
SI2308BDS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | IRLML0060TRPBF和SI2308BDS-T1-GE3的区别 |