IPD320N20N3GBTMA1

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IPD320N20N3GBTMA1概述

DPAK N-CH 200V 34A

表面贴装型 N 通道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; DPAK, PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD320N20N3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 136 W

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 34A

输入电容Ciss 2350pF @100VVds

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPD320N20N3GBTMA1
型号: IPD320N20N3GBTMA1
描述:DPAK N-CH 200V 34A

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