DPAK N-CH 80V 90A
N-Channel 80V 90A Tc 150W Tc Surface Mount PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
通道数 1
漏源极电阻 4.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 4750pF @40VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD053N08N3GBTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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