IPI65R660CFDXKSA1概述
TO-262 N-CH 650V 6A
通孔 N 通道 650 V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO262-3
IPI65R660CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 62.5 W
极性 N-CH
耗散功率 62.5W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 615pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPI65R660CFDXKSA1