INFINEON IPW65R660CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R660CFDFKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
额定功率 62.5 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.594 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 615pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 21.1 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99