金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
N-Channel 600 V 8.1A Tc 29W Tc Through Hole PG-TO220-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
立创商城:
N沟道 600V 8.1A
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin3+Tab TO-220
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 66W Tc
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 8.1A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 512pF @100VVds
额定功率Max 66 W
下降时间 14 ns
耗散功率Max 66W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP60R520C6 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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