INFINEON IPP65R074C6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 57.7 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 3 V
通孔 N 通道 650 V 57.7A（Tc） 480.8W（Tc） PG-TO220-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 57.7A TO220-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 57.7 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 57.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 57.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57.7A; 480.8W; PG-TO220-3
Newark:
# INFINEON IPP65R074C6XKSA1 Power MOSFET, N Channel, 57.7 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 480.8 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.067 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 480.8 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 57.7A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 3020pF @100VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480.8W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 车用, 通信与网络, 电源管理, Lighting, 工业, 替代能源, 照明, Automotive, Alternative Energy, Consumer Electronics, 消费电子产品, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17