Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262-3
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.7A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO262-3
额定功率 83.3 W
极性 N-CH
耗散功率 83.3W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 8.7A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 870pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83.3W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPI65R420CFDXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI65R420CFD 英飞凌 | 类似代替 | IPI65R420CFDXKSA1和IPI65R420CFD的区别 |
SPI11N60CFD 英飞凌 | 类似代替 | IPI65R420CFDXKSA1和SPI11N60CFD的区别 |
SPI11N60CFDHKSA1 英飞凌 | 功能相似 | IPI65R420CFDXKSA1和SPI11N60CFDHKSA1的区别 |