INFINEON IPD50P03P4L11ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
立创商城:
P沟道 30V 50A
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L11ATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET P-CHANNEL
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0083 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 58 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 3770pF @25VVds
额定功率Max 58 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 58W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Bridge configuration could be realized with 30V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC