INFINEON IRFH5301TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 V 新
N 通道功率 MOSFET,30V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH5301TRPBF, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
立创商城:
N沟道 30V 35A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin QFN EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Newark:
# INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PQFN-8
力源芯城:
30V,1.85mΩ,100A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
HEXFET Power MOSFET
额定功率 3.6 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.00155 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRFH5301
阈值电压 1.8 V
输入电容 5114 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35.0 A, 100 A
上升时间 78 ns
输入电容Ciss 5114pF @15VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 0.85 mm
封装 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Point of Load SyncFET, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRFH5301TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
NTMFS4935NT1G 安森美 | 功能相似 | IRFH5301TRPBF和NTMFS4935NT1G的区别 |
SI7658ADP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | IRFH5301TRPBF和SI7658ADP-T1-GE3的区别 |