IPD038N06N3GATMA1概述
N沟道,60V,90A,3.8mΩ@10V
Summary of Features:
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- Very low on-resistance R DSon
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- Ideal for fast switching applications
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- RoHS compliant - halogen free
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- MSL1 rated
Benefits:
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- Highest system efficiency
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- Less paralleling required
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- Increased power density
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- System cost reduction
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- Very low voltage overshoot
IPD038N06N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 188 W
极性 N-Channel
耗散功率 188 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 8000pF @30VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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替代型号IPD038N06N3GATMA1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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