IPD50R800CEATMA1概述
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R800CEATMA1, 5 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R800CEATMA1, 5 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET CONSUMER
艾睿:
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Opt
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; 40W; PG-TO252-3
IPD50R800CEATMA1中文资料参数规格
在线购买IPD50R800CEATMA1
型号： IPD50R800CEATMA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R800CEATMA1, 5 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
替代型号IPD50R800CEATMA1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50R800CEATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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