PG-TO220 整包
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
立创商城:
N沟道 650V 11.4A
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 32W; TO220FP
额定功率 32 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.28 Ω
极性 N-CH
耗散功率 32 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.4A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 32W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅