DPAK N-CH 60V 50A
表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
通道数 1
漏源极电阻 6.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 71 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 4780pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 71W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50N06S4L08ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD50N06S4L08ATMA2 英飞凌 | 类似代替 | IPD50N06S4L08ATMA1和IPD50N06S4L08ATMA2的区别 |