DPAK N-CH 500V 4.3A
N-Channel 500V 4.3A Tc 53W Tc Surface Mount PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.3A; 34W; PG-TO252-3
额定功率 34 W
极性 N-CH
耗散功率 53W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 4.3A
上升时间 4.9 ns
输入电容Ciss 231pF @100VVds
下降时间 19.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 53W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50R950CEATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD50R950CE 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R950CEATMA1和IPD50R950CE的区别 |