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IPI65R190C6XKSA1概述

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

立创商城:
N沟道 650V 20.2A

得捷:
IPI65R190C6 - 650V-700V COOLMOS

欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3

IPI65R190C6XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 151 W

极性 N-CH

耗散功率 151W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1620pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IPI65R190C6XKSA1

型号： IPI65R190C6XKSA1

描述：Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

替代型号IPI65R190C6XKSA1