IPD80R1K4CEBTMA1

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IPD80R1K4CEBTMA1概述

DPAK N-CH 800V 3.9A

Summary of Features:

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Low specific on-state resistance R DSon*A
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Very low energy storage in output capacitance E oss @ 400V
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Low gate charge Q g
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Field-proven CoolMOS™ quality
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CoolMOS™ technology has been manufactured by since 1998

Benefits:

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High efficiency and power density
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Outstanding price/performance
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High reliability
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Ease-of-use

Target Applications:

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LED lighting
IPD80R1K4CEBTMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 63 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 3.9A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 570pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD80R1K4CEBTMA1
型号: IPD80R1K4CEBTMA1
描述:DPAK N-CH 800V 3.9A
替代型号IPD80R1K4CEBTMA1
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