Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP028N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP028N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 / N-Channel 80 V 100A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3
额定功率 300 W
漏源极电阻 0.0024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 10700pF @40VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17