IPP028N08N3GXKSA1

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IPP028N08N3GXKSA1概述

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP028N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP028N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 300W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 / N-Channel 80 V 100A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3


IPP028N08N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

漏源极电阻 0.0024 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 73 ns

输入电容Ciss 10700pF @40VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPP028N08N3GXKSA1
型号: IPP028N08N3GXKSA1
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP028N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装

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