INFINEON IPB180N06S4H1ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 180 A, 0.0013 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 7-Pin6+Tab TO-263
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V
针脚数 7
漏源极电阻 0.0013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 180A
输入电容Ciss 21900pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, Lighting, 车用, Lighting, Power Management, 照明, Automotive, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB180N06S4H1ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB180N06S4H1ATMA2 英飞凌 | 类似代替 | IPB180N06S4H1ATMA1和IPB180N06S4H1ATMA2的区别 |