IPD70N10S3L12ATMA1

INFINEON  IPD70N10S3L12ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

OptiMOS™T 功率 MOSFET

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

得捷:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3

欧时:
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S3L12ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Newark:
# INFINEON  IPD70N10S3L12ATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3