INFINEON IPD65R600E6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 650 V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
立创商城:
N沟道 650V 7.3A
贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 / N-Channel 650 V 7.3A Tc 63W Tc Surface Mount PG-TO252-3
额定功率 63 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 63 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 440pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD65R600E6ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD65R660CFDBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD65R600E6ATMA1和IPD65R660CFDBTMA1的区别 |
IPD65R600E6BTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD65R600E6ATMA1和IPD65R600E6BTMA1的区别 |