酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
N-Channel 650V 12A Tc 104W Tc Through Hole PG-TO247-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-247
Win Source:
Cool MOS Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
通道数 1
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
输入电容Ciss 1200pF @100VVds
额定功率Max 104 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free