IRL8114PBF概述
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Benefits:
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- Low RDSon at 4.5V VGS
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- Low Gate Charge
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- Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
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- Lead-Free
得捷:
IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW
立创商城:
N沟道 30V 120A
贸泽:
MOSFET TRENCH_MOSFETS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
IRL8114PBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 115 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 2660pF @15VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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