INFINEON IPP075N15N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V
IPP075N15N3 G是一款150V N沟道功率MOSFET, RDS 导通降低了40％, 品质因数 FOM降低了45％。OptiMOS™ MOSFET具有很高的系统效率和业界最低的RDS 导通。非常适合高频开关应用和DC-DC转换器应用。
IPP075N15N3 G, SP000680832
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- 优秀的开关性能
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- 环保型
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- 高效能
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- 高功率密度
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- 需要较少的并联
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- 占用极小的电路板空间
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- 易于设计
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0062 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 5470pF @75VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Audio, Class D audio amplifiers, Industrial, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPP075N15N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP075N15N3G 英飞凌 | 完全替代 | IPP075N15N3GXKSA1和IPP075N15N3G的区别 |
FDP075N15A_F102 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPP075N15N3GXKSA1和FDP075N15A_F102的区别 |