IPI50R299CPXKSA1概述
TO-262 N-CH 500V 12A
通孔 N 通道 500 V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-262
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
IPI50R299CPXKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 104W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1190pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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