IPA90R1K0C3

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IPA90R1K0C3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 32 W

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.70 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 850pF @100VVds

额定功率Max 32 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.85 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPA90R1K0C3
描述:900V,5.7A,N沟道功率MOSFET

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