IPP65R420CFDXKSA1概述
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
立创商城:
N沟道 650V 8.7A
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO220-3
IPP65R420CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83.3 W
极性 N-CH
耗散功率 83.3W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 8.7A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 870pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83.3W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPP65R420CFDXKSA1
型号： IPP65R420CFDXKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能