IPD530N15N3GBTMA1概述
DPAK N-CH 150V 21A
表面贴装型 N 通道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPD530N15N3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 68 W
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 887pF @75VVds
额定功率Max 68 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
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