IPD65R380E6ATMA1

IPD65R380E6ATMA1图片1
IPD65R380E6ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 650 V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3


立创商城:
N沟道 650V 10.6A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Opt


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3


IPD65R380E6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-CH

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPD65R380E6ATMA1
型号: IPD65R380E6ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPD65R380E6ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD65R380E6ATMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPD65R380E6BTMA1

英飞凌

类似代替

IPD65R380E6ATMA1和IPD65R380E6BTMA1的区别

IPD65R420CFDBTMA1

英飞凌

类似代替

IPD65R380E6ATMA1和IPD65R420CFDBTMA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台