IPP65R190E6XKSA1

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IPP65R190E6XKSA1概述

Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R190E6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP65R190E6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 151 W

极性 N-CH

耗散功率 151 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.8A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1620pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP65R190E6XKSA1
型号: IPP65R190E6XKSA1
描述:Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET **Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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