IPB60R380P6ATMA1概述
D2PAK N-CH 600V 10.6A
表面贴装型 N 通道 600 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） D²PAK（TO-263AB）
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin TO-263 T/R
IPB60R380P6ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 877pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 PWM stages TTF, LLC for, , telecom rectifier,, PFC stages for
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
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