IPI50R250CPXKSA1概述
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R250CPXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R250CPXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO262-3
IPI50R250CPXKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 114 W
极性 N-CH
耗散功率 114W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 13A
输入电容Ciss 1420pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 114W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPI50R250CPXKSA1
型号： IPI50R250CPXKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R250CPXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装