INFINEON IPD60R450E6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V
N沟道,600V,9.2A,450mΩ@10V
得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
立创商城:
N沟道 600V 9.2A
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 9.2A DPAK-2
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Opt
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 9.2A 3-Pin TO-252 T/R
Newark:
# INFINEON IPD60R450E6ATMA1 Power MOSFET, N Channel, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.41 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 9.2A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 620pF @100VVds
额定功率Max 74 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 74W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPD60R450E6ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R450E6 英飞凌 | 类似代替 | IPD60R450E6ATMA1和IPD60R450E6的区别 |