IPI200N25N3 G概述
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3Pin3+Tab TO-262
Summary of Features:
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- Industry’s lowest R DSon
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- Lowest Q g and Q gd
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- World’s lowest FOM RoHS comliant − halogen free MSL 1 rated
Benefits:
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- Highest efficiency
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- Highest Power density
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- Lowest board space consumption
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- Minimal device paralleling required
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- System cost improvement
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- Enviromentally friendly
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- Easy-to-design-in products
IPI200N25N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 20 mΩ
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
上升时间 20 nS
输入电容Ciss 7100pF @100VVds
下降时间 12 nS
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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