IPD60R800CEATMA1

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IPD60R800CEATMA1概述

DPAK N-CH 600V 5.6A

表面贴装型 N 通道 5.6A(Tc) 48W(Tc) TO-252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.6A; 48W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD60R800CEATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 48 W

极性 N-CH

耗散功率 74 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.6A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 373pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD60R800CEATMA1
型号: IPD60R800CEATMA1
描述:DPAK N-CH 600V 5.6A

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