INFINEON IRFR3410TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V，
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 110 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.034 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
输入电容 1690 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 31A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1690pF @25VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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